本篇文章給大家談?wù)刣dr31600，以及ddr31600和1333的區(qū)別多大對應(yīng)的知識點，希望對各位有所幫助，不要忘了收藏本站喔。

DDR31600和DDR3 2666，不同頻率有什么區(qū)別？，性能？那DDR4最低頻率和DDR3和最

區(qū)別：

1、針腳：

ddr3和ddr4接口不一樣針腳數(shù)量不同，ddr3是204pin，ddr4是256pin。

2、頻率：

DDR4內(nèi)存頻率原生支持2133MHz，DDR3原生1866MHz，起始頻率有不小的提升。

3、內(nèi)存功耗：

內(nèi)存功耗方面，DDR4內(nèi)存的工作電壓進一步降低達(dá)到了1.2V，相比DDR3內(nèi)存的1.5V工作電壓也降低了不少。功耗的降低能夠使得內(nèi)存降低用電量和發(fā)熱，以達(dá)到提升內(nèi)存條的穩(wěn)定性，基本不會出現(xiàn)發(fā)熱引起的降頻現(xiàn)象。

4、外觀變化：

歷代內(nèi)存金手指一直都是直線型的，直到DDR4內(nèi)存之后，金手指的設(shè)計為中間稍突出，而邊緣收矮的形狀，這種設(shè)計的好處局勢，以保障DDR4內(nèi)存金手指與內(nèi)存插槽觸點有足夠的接觸面，確保信號傳輸穩(wěn)定。

ddr31600和ddr43600區(qū)別

ddr31600和ddr43600區(qū)別 如下1、規(guī)格不同

DDR3內(nèi)存的起始頻率僅有800MHz，最高頻率可達(dá)2133MHz。而DDR4內(nèi)存的起始頻率就有2133MHz，最高頻率可達(dá)3000MHz。更高頻率的DDR4內(nèi)存在各個方面的表現(xiàn)和DDR3內(nèi)存相比有著顯著的提升，DDR4內(nèi)存的每個針腳都可以提供2Gbps的帶寬，那么DDR4-3200就是51.2GB/s，這比DDR3-1866的帶寬提升了70%；

2、外觀不同

DDR4作為DDR3的升級版本，在外觀上發(fā)生了一些改變。DDR4內(nèi)存的金手指變成了彎曲狀，這意味著DDR4不再兼容DDR3，如果想要換上DDR4的內(nèi)存，那么還需要將主板更換為支持DDR4內(nèi)存的新平臺；

3、內(nèi)存容量不同

在內(nèi)存性能方面，DDR3最大單條可達(dá)64GB的容量，不過市面上可以買到的只有16GB和32GB。而DDR4最大單條容量為128GB，更大的容量意味著DDR4可以給更多的應(yīng)用提供支持。以DDR3-1600內(nèi)存作為參考基準(zhǔn)，DDR4內(nèi)存擁有最少147%的性能提升，而如此大的幅度能夠體現(xiàn)很明顯的差異；

4、功耗不同

通常情況下，DDR3的內(nèi)存的工作電壓為1.5V，耗電較多，而且內(nèi)存條容易發(fā)熱降頻，影響性能。而DDR4內(nèi)存的工作電壓多為1.2V甚至更低，功耗的下降帶來的是更少的用電量和更小的發(fā)熱，提升了內(nèi)存條的穩(wěn)定性，基本不會出現(xiàn)發(fā)熱引起的降頻現(xiàn)象；

三星ddr31600內(nèi)存條怎么樣??。

三星DDR3-1600內(nèi)存條是一款較為常見的內(nèi)存產(chǎn)品，其主要特點和性能如下：

內(nèi)存容量：三星DDR3-1600內(nèi)存條的容量通常為4GB或8GB，可根據(jù)需要選擇。

頻率和時序：該內(nèi)存條的頻率為1600MHz，時序通常為CL11，具有較好的響應(yīng)速度和穩(wěn)定性。

電壓：三星DDR3-1600內(nèi)存條的電壓為1.5V，符合DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。

應(yīng)用范圍：該內(nèi)存條可廣泛用于臺式機、服務(wù)器等設(shè)備中，可用于提高系統(tǒng)運行速度和響應(yīng)能力。

總的來說，三星DDR3-1600內(nèi)存條是一款性價比較高的內(nèi)存產(chǎn)品，具有良好的性能和穩(wěn)定性，適合一般的日常辦公、娛樂等使用。如果您需要更高性能的內(nèi)存，可以考慮使用DDR4內(nèi)存或者其他高性能內(nèi)存條。

內(nèi)存條：DDR3 1600和DDR3L 1600有區(qū)別嗎？

區(qū)別如下：

（1）雖然他們都是1600Mhz，但是DDR3L是低電壓版（L代表LOW，“低”的意思），而DDR3時標(biāo)準(zhǔn)電壓版。

（2）DDR3L與標(biāo)準(zhǔn)的DDR3內(nèi)存互相兼容，可以混搭使用并正常工作在雙通道模式下。DDR3L內(nèi)存的SPD芯片里會包含支持電壓的數(shù)據(jù)，可根據(jù)芯片組的內(nèi)存插槽的支持自適應(yīng)1.5V或1.35V的工作電壓。

擴展資料：

（1）DDR3是一種計算機內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品，提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM（同步動態(tài)動態(tài)隨機存取內(nèi)存）的后繼者（增加至八倍），也是現(xiàn)時流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。

（2）DDR3內(nèi)存在達(dá)到高帶寬的同時，其功耗反而可以降低，其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，相關(guān)數(shù)據(jù)預(yù)測DDR3將比現(xiàn)時DDR2節(jié)省30%的功耗。

（3）對比現(xiàn)有的DDR2-800產(chǎn)品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分別為0.72X、0.83X及0.95X，不但內(nèi)存帶寬大幅提升，功耗表現(xiàn)也比上代更好。

參考資料：百度百科-DDR3

內(nèi)存 DDR3 1600 標(biāo)準(zhǔn)帶寬是多少

DDR3 1600 單根的標(biāo)準(zhǔn)帶寬為12.8G/S，如果組成雙通道，帶寬為25.6GB/S。

內(nèi)存帶寬計算公式：帶寬=內(nèi)存核心頻率×內(nèi)存總線位數(shù)×倍增系數(shù)。DDR3作為DDR2的升級版，最重要的改變是一次預(yù)讀8bit，是DDR2的2倍，DDR的4倍，所以，它的倍增系數(shù)是2X2X2=8。

擴展資料：

內(nèi)存帶寬，從功能上理解，可以將內(nèi)存看作是內(nèi)存控制器（一般位于北橋芯片中）與CPU之間的橋梁或與倉庫。顯然，內(nèi)存的容量決定“倉庫”的大小，而內(nèi)存的帶寬決定“橋梁”的寬窄，兩者缺一不可，這也就是常常說道的“內(nèi)存容量”與“內(nèi)存速度”。

所謂雙通道DDR，就是芯片組可以在兩個不同的數(shù)據(jù)通道上分離尋址、讀取數(shù)據(jù)。這兩個相互獨立工作的內(nèi)存通道是依靠于兩個獨立并行工作的、位寬為64-bit的內(nèi)存節(jié)制器下，因此使普通的DDR內(nèi)存可以到達(dá)128-bit的位寬，因此，內(nèi)存帶寬是單通道的兩倍